砷化镓是一种半导体材料,不是金属材料。砷化镓是一种无机化合物,化学式为GaAs,为黑灰色固体,熔点1238℃。它在600℃以下能在空气中稳定存在,并且不被非氧化性的酸侵蚀。
砷化镓是什么
砷化镓,化学式GaAs。黑灰色固体,熔点1238℃。它在600℃以下,能在空气中稳定存在,并且不被非氧化性的酸侵蚀。
砷化镓是一种重要的半导体材料。属Ⅲ——Ⅴ族化合物半导体。属闪锌矿型晶格结构,晶格常数5.65×10-10m,熔点1237℃,禁带宽度1.4电子伏。砷化镓于1964年进入实用阶段。砷化镓可以制成电阻率比硅、锗高3个数量级以上的半绝缘高阻材料,用来制作集成电路衬底、红外探测器、γ光子探测器等。
由于其电子迁移率比硅大5——6倍,故在制作微波器件和高速数字电路方面得到重要应用。用砷化镓制成的半导体器件具有高频、高温、低温性能好、噪声小、抗辐射能力强等优点。此外,还可以用于制作转移器件──体效应器件。
砷化镓是半导体材料中,兼具多方面优点的材料,但用它制作的晶体三极管的放大倍数小,导热性差,不适宜制作大功率器件。虽然砷化镓具有优越的性能,但由于它在高温下分解,故要生产理想化学配比的高纯的单晶材料,技术上要求比较高。
砷化镓是什么晶体类型
砷化镓(GaAs)是一种重要的半导体晶体材料,它是一种类似硅的半导体,由锗和砷组成。砷化镓的特性是拥有较高的热导率和电导率,以及较弱的晶体键。它是一种非常稳定的晶体,不容易损坏。砷化镓晶体所具有的特性使它成为一种极为有用的材料,可用于制造电子电路和电子器件。
砷化镓是一种类似硅的晶体,具有类似硅的特性。它有一个相对较高的折射率,一个较低的拉曼散射系数,这使它具有较低的损耗。砷化镓晶体的热导率和电导率也比硅要高。同时,砷化镓晶体的拉曼散射系数也更低,这使它具有更低的热损耗。
砷化镓的晶体结构属于六方晶系。砷化镓晶体的晶格常数为5.65307,它的晶体块面积为1.22nm2,密度为5.31g/cm3。它具有较高的熔点,在1238℃时融化,耐热性也好,可耐受高温达到973℃。
金属材料包括哪些材料
1、黑色金属:又称钢铁材料,包括杂质总含量<0.2%及含碳量不超过0.0218%的工业纯铁,含碳0.0218%——2.11%的钢,含碳大于2.11%的铸铁。广义的黑色金属还包括铬、锰及其合金。
2、有色金属:是指除铁、铬、锰以外的所有金属及其合金,通常分为轻金属、重金属、贵金属、半金属、稀有金属和稀土金属等,有色合金的强度和硬度一般比纯金属高,并且电阻大、电阻温度系数小。
3、特种金属材料:包括不同用途的结构金属材料和功能金属材料。其中有通过快速冷凝工艺获得的非晶态金属材料,以及准晶、微晶、纳米晶金属材料等;还有隐身、抗氢、超导、形状记忆、耐磨、减振阻尼等特殊功能合金以及金属基复合材料等。